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FDP51N25  与  IPP600N25N3 G  区别

型号 FDP51N25 IPP600N25N3 G
唯样编号 A3-FDP51N25 A-IPP600N25N3 G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 320W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 25.5A,10V 60mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±30V 2V
正向跨导 - 最小值 - 24S
封装/外壳 TO-220AB -
连续漏极电流Id 51A 25A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 90µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3410pF @ 25V 2350pF @ 100V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 250V 250V
Pd-功率耗散(Max) 320W(Tc) 136W
典型关闭延迟时间 - 22ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 UniFET™ OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3410pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V 29nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP51N25 ON Semiconductor 功率MOSFET

51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP50NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 550 对比
STP50NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP600N25N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP600N25N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP600N25N3GXKSA1_-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 60mΩ 2V 136W N-Channel

暂无价格 0 对比

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